铅屏蔽罐厂家带您了解屏蔽计算方法

　　铅屏蔽罐厂家带您了解屏蔽计算方法：计算γ射线在屏蔽体内的减弱通常使用点核技术和积累因子。对于含氢材料的屏蔽体， 常用分出一扩散法计算快中子的减弱和热中子在屏蔽体内的分布。铅板厂家试验表明，当屏蔽体内有足够的氢 (约6 g/cm的氢， 或者约50cmH2O的水)时，裂变中子在其中的减弱近似遵守指数规律。这可以认为经散射而降低能量并改变方向的中子从快中子束中“分出”去了，所以这种减弱截面被称为分出截面。被分出的中子将进入扩散过程，可按扩散理论来计算中能中子和热中子在屏蔽体中的分布，这对于屏蔽体内二次γ射线分布的计算是必不可少的。必须注意，在屏蔽体内含氢量不足时，中能中子剂量往往成为中子剂量的主要贡献者。计算机技术的发展使人们可以用数值方法来求解中子或γ光子在屏蔽体中的输运问题。这里有两种途径，一种是宏观的，即求解玻尔兹曼方程，所用的方法有矩方法、球谐函数法、离散纵标法等。另一种是微观的，即蒙特卡罗法，它描述个别粒子通过屏蔽体直到它被吸收或穿透出去的过程，只要采样的数量足够大，就可以准确地描述中子或γ光子在屏蔽体内的输运过程。目前这些计算方法都已成熟地用于铅加工工程设计中